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IC EMC-集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分:射频功

时间:2023-12-17 19:12来源: IC EMC集成电路电磁兼容技 作者:ictest8_edit 点击:

本期分享的是IEC 62132-4 射频功率直接注入法也就是大家所说的DPI测试,通过传导耦合的方式将干扰“注入”IC 引脚。规范参考引用了系统级测试方法IEC 61000-4-6:射频场感应的传导骚扰抗扰度和CISPR 16-1-2:无线电骚扰和抗扰度测量设备 传导骚扰测量的耦合装置,熟悉系统级EMC测试方法的朋友们可以参考理解一下。

关于这个测试项目,读者可能想问它的受众面大不大,做的人多不多,从这几年来看,受众面还可以,但是相比于TEM辐射发射、1欧姆150欧姆传导发射和ESD测试而言,DPI的受众面排在它们三以后,这可能跟它的引脚选择要求有关系,引用标准上的一段话:

IC中出现的最大几何尺寸来自于引线框架。引线框架的大小在几个厘米的范围内或更小。芯片上的结构尺寸甚至比引线框架的尺寸小两个数量级。对于1GHz以下的频率范围,这种引线框架和芯片结构不会构成接收无用RF信号的有效天线。形成有效天线的是电缆束和/或印制电路板上的走线,IC通过连接到这些电缆的引脚接收无用的RF能量。

目前该项目选做最多的引脚是电源引脚,还有一些和外部用走线连接的I/O引脚,关于I/O引脚的选择,某企业规范给出了具体要求,并且针对不同的滤波电路给出的不同的限值等级,还是挺合理的。

先看一下该测试项目的常规测试布置图:

 

RF信号发生器通过RF放大器来提供RF骚扰。定向耦合器和RF功率计用来测量注入到受试器件(DUT)的实际正向功率。在RF注入端口,RF功率传递给受试的印制电路板(PCB)。RF放大器通过隔直模块去耦,以避免DC电流进入放大器的输出端。去耦网络可以避免RF功率影响DC电源,该去耦网络在连接到RF注入路径的一端具有高的RF阻抗。

需要注意的是,为了表征IC的抗扰度,需要测量引起功能失效的前向功率。好多小伙伴在建模的过程中经常会问小编:实际注入到IC的功率到底多大?这里也给读者留一个问题,到底多大该怎么测量呢?

关于IC 功能失效的失效等级,在IEC 62132-1中一共给出了5个等级:

 

通俗点讲,A就是没受到干扰的影响;B是受了点皮外伤,可自行恢复;C就得人为干预一下,复位一下;D比较严重了,得掉电上电;E那就没救了,挂了。实际测试时比如MCU跑个马灯,LDO监测一下输出...,所以是DUT监测设备就是多种多样了,比如监控板,示波器、上位机,源表...

 
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